Electrically Erasable Programmable Read-Only Memoryの略で、電気信号によってデータを消去し新たに書き込める半導体メモリ。ROMと異なり後から内容を変更でき、フラッシュメモリとは異なり1バイト単位で書き込み可能。組み込みシステムの設定値保存などに用いられる。
Electrically Erasable Programmable Read-Only Memoryの頭文字を取った用語。1978年にIntelによって開発された。電気的に消去・書き込みできるROMという特性を名称に反映。
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